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文 | 心緣
科創(chuàng)板掛牌啟幕，我們對科創(chuàng)板上市申請中有故事有亮點(diǎn)的芯片半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)行一系列深度報(bào)道。此前，我們已報(bào)道過瀾起科技（凈利潤暴漲221倍，兩次創(chuàng)業(yè)成功，瀾起科技沖擊科創(chuàng)板芯片第一股）。
7月2日，中微半導(dǎo)體科創(chuàng)板IPO注冊獲證監(jiān)會(huì)通過。
面對全球半導(dǎo)體市場強(qiáng)手如云，這是我國極少數(shù)能與國際頂尖半導(dǎo)體設(shè)備公司在技術(shù)上分庭抗禮，還不斷擴(kuò)大市占率的公司。
當(dāng)芯片制造巨頭們在先進(jìn)芯片制程工藝的研發(fā)上一路狂奔，剛開啟7nm的商戰(zhàn)，又敲響5nm的戰(zhàn)鼓，像中微半導(dǎo)體這樣的半導(dǎo)體設(shè)備公司是極為重要的幕后功臣。
中微半導(dǎo)體以高端刻蝕機(jī)為專長，早在28nm工藝時(shí)代就已與全球晶圓代工第一大廠臺(tái)積電合作，一直延續(xù)至10nm、7nm制程，成為唯一打入臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)線的大陸本土刻蝕設(shè)備商。
另據(jù)去年年底的消息，中微半導(dǎo)體自研的5nm等離子刻蝕機(jī)即將挺進(jìn)臺(tái)積電5nm制程生產(chǎn)線。
中微半導(dǎo)體同樣也是聯(lián)電、中芯國際等晶圓代工大廠的重要合作伙伴。
而在輝煌成績的背后，中微半導(dǎo)體曾經(jīng)歷過漫長的苦旅。
先是回國路上被美國攔截，創(chuàng)業(yè)初期連被兩大國際半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備巨頭提起專利訴訟，近年在MOCVD領(lǐng)域異軍突起后，又與MOCVD?國際巨頭陷入新的專利糾紛。
而面對國際巨頭挑起的連連紛爭，中微半導(dǎo)體每每令人意外地從容，在迄今為止的每一場專利官司，它還沒有敗下陣過。
如今，中微半導(dǎo)體憑借極其深厚的技術(shù)功底，逐漸走到新的歷史節(jié)點(diǎn)。
一、美國施壓，美企叫板
創(chuàng)立早期5年，中微半導(dǎo)體過得相當(dāng)坎坷。
尹志堯于1944年在北京出生，就讀于北京四中，1962年考入科大化學(xué)物理系，1968年被分配到蘭州煉油廠。1980年獲北大化學(xué)系碩士學(xué)位，赴美國加州大學(xué)洛杉磯分校攻讀物理化學(xué)博士。
▲中微半導(dǎo)體創(chuàng)始人、董事長及總經(jīng)理尹志堯博士
2004年，尹志堯60歲，此時(shí)的他，已經(jīng)是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域久經(jīng)沙場的行業(yè)老兵，從業(yè)時(shí)長接近30年，曾在常年霸占全球半導(dǎo)體設(shè)備前三甲的泛林半導(dǎo)體和美國應(yīng)用材料公司身居高位。
此時(shí)，心里那顆想要回國的種子，終于冒出了萌芽。
2004年，尹志堯帶著30多人的優(yōu)秀團(tuán)隊(duì)，返回中國，但回國之路遠(yuǎn)比想象更加艱辛——美國出手了。
人走可以，東西必須留下，美國安全部門將其600多萬個(gè)文件和電腦資料全部沒收。
沒有工藝配方，沒有設(shè)計(jì)圖紙，尹志堯與團(tuán)隊(duì)回到祖國時(shí)，兩手空空如也，一切從零開始。
就在這樣的背景下，2004年5月31日，中微半導(dǎo)體在上海成立，深耕刻蝕機(jī)領(lǐng)域。
而這只是磨難的開端。
剛成立的中微半導(dǎo)體，遇到了集成電路工藝正從鋁導(dǎo)線轉(zhuǎn)移向銅導(dǎo)線的時(shí)間節(jié)點(diǎn)，金屬刻蝕的需求逐漸萎縮，中微意識(shí)到介質(zhì)刻蝕設(shè)備將成為未來的主流，于是以此為突破口投入大量研發(fā)。
這是一場不對稱的競爭，中微起步之時(shí)，全球半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)被三大寡頭割據(jù)超過90%的市場。
可即便如此，國際巨頭們并沒有對中微半導(dǎo)體的起勢掉以輕心。
2007-2009年期間，正值中微半導(dǎo)體研發(fā)12英寸芯片刻蝕機(jī)，準(zhǔn)備進(jìn)入國際一流芯片生產(chǎn)線時(shí)，兩家國際巨頭芯片設(shè)備公司先后找上門來，起訴中微半導(dǎo)體專利侵權(quán)。
首先發(fā)難的是尹志堯的老東家——美國應(yīng)用材料公司，起訴中微半導(dǎo)體侵權(quán)后，應(yīng)用材料卻始終拿不出有力的證據(jù)。
中微半導(dǎo)體適時(shí)反訴對方不正當(dāng)競爭，令應(yīng)用材料措手不及，最終撤訴求和。
2009年，另一巨頭美國科林研發(fā)突然發(fā)難，在臺(tái)灣起訴中微侵犯其發(fā)明專利。
科林研發(fā)比應(yīng)用材料更加難纏，它先后多次在臺(tái)灣向中微半導(dǎo)體提起專利訴訟，屢敗屢戰(zhàn)，屢戰(zhàn)屢敗。
有了前車之鑒的中微半導(dǎo)體未雨綢繆，已經(jīng)做了大量知識(shí)產(chǎn)權(quán)預(yù)警分析和排查工作，面對科林研發(fā)的挑事更加游刃有余。
在科林研發(fā)第一次發(fā)起訴訟時(shí)，中微半導(dǎo)體僅用不到1個(gè)月的時(shí)間，就決定“以攻為守”，提交大量證據(jù)主張科林的兩項(xiàng)專利無效。
2017年3月，中微半導(dǎo)體在訴科林研發(fā)侵犯商業(yè)秘密案一審判決中取勝，法院判科林賠償中微90萬元人民幣。
然而風(fēng)暴還未停息，2017年11月初，美國MOCVD設(shè)備巨頭宣布，美國紐約東區(qū)地方法院同意了一項(xiàng)初步禁令請求，禁止SGL出售采用Veeco專利技術(shù)的MOCVD使用的晶圓承載器（即石墨盤），包括專為中國MOCVD設(shè)備商中微半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的石墨盤。
Veeco此舉針對的正是中微半導(dǎo)體。
中微半導(dǎo)體做了兩手準(zhǔn)備，一邊積極發(fā)展第二、第三渠道供應(yīng)商，另一邊，同年7月在福建高院起訴Veeco上海專利侵權(quán)。12月，中微半導(dǎo)體勝訴。
長達(dá)11年的專利糾紛，最終以中微半導(dǎo)體的大獲全勝告一段落。
2018年3月，在去年3月央視《中央財(cái)經(jīng)報(bào)道》欄目中，尹志堯面帶微笑，眉眼含著熱情，看起來還像是四五十歲的樣子：“我們給外國人做嫁衣，已經(jīng)做了很多遍事情了，那我們應(yīng)該給自己祖國的人民，做一些貢獻(xiàn)?！?/p>
二、專利超950件，打破技術(shù)壟斷
中微半導(dǎo)體在專利拉鋸戰(zhàn)中的不敗戰(zhàn)績，與其長期雄厚的技術(shù)實(shí)力密不可分。
中微向科創(chuàng)板提交的招股書顯示，截至到2019年2月28日，中微半導(dǎo)體已申請1201項(xiàng)專利，獲得951項(xiàng)專利授權(quán)，其中發(fā)明專利800項(xiàng)。
僅是創(chuàng)始人尹志堯，就已經(jīng)是89項(xiàng)美國專利和200多項(xiàng)其他海內(nèi)外專利的主要發(fā)明人。
根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)披露的《2017年半導(dǎo)體十大名單》顯示，中微半導(dǎo)體入圍“2017年中國半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)企業(yè)”，名列第三。
中微半導(dǎo)體首席專家、副總裁倪圖強(qiáng)博士說過，刻蝕機(jī)曾是一些發(fā)達(dá)國家出口管制產(chǎn)品。
而在2015年，美國商務(wù)部稱，因?yàn)樵谥袊延幸粋€(gè)非美國的設(shè)備公司做出了和美國設(shè)備公司有相同質(zhì)量和相當(dāng)數(shù)量的等離子體刻蝕機(jī)，所以取消了對中國的刻蝕機(jī)的出口管制。
2016年，兩家大陸半導(dǎo)體設(shè)備商獲得國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金（大基金）投資，其中是上海微電子設(shè)備（SMEE），另一家便是中微半導(dǎo)體。
中微半導(dǎo)體拿到大基金4.8億元投資，成為中國芯片制造領(lǐng)域的國家隊(duì)。
根據(jù)招股書，中微半導(dǎo)體研發(fā)的高端刻蝕設(shè)備已在國際知名客戶最先進(jìn)的生產(chǎn)線上，用于7nm器件中若干關(guān)鍵步驟的加工。
另外，中微半導(dǎo)體已經(jīng)在研發(fā)5nm及更先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和工藝。
在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備技術(shù)可應(yīng)用于64層的量產(chǎn)，同時(shí)公司根據(jù)存儲(chǔ)器廠商的需求正在開發(fā)96層及更先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和工藝。
其MOCVD設(shè)備能實(shí)現(xiàn)單腔14片4英寸和單腔34片4英寸外延片加工能力。
尤其是Prismo A7設(shè)備，技術(shù)實(shí)力突出， 已在全球氮化鎵基 LED MOCVD 市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。
中微半導(dǎo)體正在開發(fā)更大尺寸 MOCVD 設(shè)備，他們正在研發(fā)的MOCVD設(shè)備也覆蓋了紫外光LED、Mini LED市場。
去年，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體行業(yè)市場研究機(jī)構(gòu)美國VLSI Research，發(fā)布2018年度客戶滿意度調(diào)查排行。
中微半導(dǎo)體在芯片制造設(shè)備專業(yè)型供應(yīng)商中排名第二，在全球晶圓制造設(shè)備供應(yīng)商中排名第三，在專用芯片制造供應(yīng)商中排名第四。
這是自1988年VLSI啟動(dòng)客戶滿意度調(diào)查以來，迄今為止第一個(gè)上榜的中國本土裝備供應(yīng)商。
在去年VLSI的全球評(píng)比中，中微公司董事長尹志堯博士與英特爾董事長、格羅方德 CEO 一起被評(píng)為 2018 年國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大領(lǐng)軍明星（All Stars）。
三、兩大主營業(yè)務(wù)營收與研發(fā)投入
中微半導(dǎo)體主營兩大業(yè)務(wù)，一是半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)熟知的刻蝕設(shè)備，二是發(fā)展十分迅猛的MOVCD設(shè)備，另外也銷售少量VOC設(shè)備。
在2016年，中微半導(dǎo)體的營收大頭還是刻蝕設(shè)備，占了總營收的77.11%，而MOCVD設(shè)備僅占總營收的2.55%。
到2017年，中微的營收占比已經(jīng)大變天，MOCVD設(shè)備躍居第一大營收來源，占比超過一半，而刻蝕設(shè)備退居近30%。
2018年，MOCVD設(shè)備繼續(xù)穩(wěn)居一位，刻蝕設(shè)備占比略有增加。
中微半導(dǎo)體的營收占比變化其實(shí)令人稍感意外，根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備從2011年就開始持續(xù)增長。
而中微半導(dǎo)體在2017年的刻蝕設(shè)備營收以及營收占比都在下滑，不過2018年刻蝕設(shè)備的營收又有所回漲。
在報(bào)告期內(nèi)，中微半導(dǎo)體的總資產(chǎn)規(guī)模分別為10.79億元、22.76億元、35.33億元。由此可見該公司的資產(chǎn)規(guī)模與營收規(guī)模均快速增長。
2016-2018年期間，中微半導(dǎo)體投入累計(jì)研發(fā)投入達(dá)到10.37億元，占營業(yè)收入的比重平均為 32%。
在這三年間，該公司歸屬于母公司股東的凈利潤也由由負(fù)轉(zhuǎn)正。
對于中微半導(dǎo)體而言，這樣的年增長率和研發(fā)占比已經(jīng)算高了，但相比2017年年研發(fā)經(jīng)費(fèi)就超過10億美元的應(yīng)用材料和泛林研發(fā)，中微半導(dǎo)體還有很大的進(jìn)步空間。
不過，在營收連年增長的同時(shí)，中微半導(dǎo)體也在面臨著依賴幾家頭部客戶的風(fēng)險(xiǎn)。
招股書報(bào)告期內(nèi)，中微半導(dǎo)體每年前五名客戶包括臺(tái)積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯(lián)華電子、長江存儲(chǔ)、三安光電、華燦光電、乾照光電、璨揚(yáng)光電等，以及前述客戶同一控制下的關(guān)聯(lián)企業(yè)。
2016年至2018年，中微半導(dǎo)體向前五名客戶合計(jì)銷售額占當(dāng)期銷售總額的比例分別為85.74%、74.52%和60.55%。
雖然占比逐年降低，也不存在向單個(gè)客戶銷售比例超過公司當(dāng)年銷售總額50%或嚴(yán)重依賴少數(shù)客戶的情況，但總體對前五名客戶的依賴較為嚴(yán)重。
從人才梯隊(duì)來看，除了創(chuàng)始人尹志堯外，中微半導(dǎo)體組建資深的技術(shù)專家陣容，杜志游博士、倪圖強(qiáng)博士、麥?zhǔn)肆x博士、楊偉先生、李天笑先生等160多位各專業(yè)領(lǐng)域的專家。
其中很多是在國際半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)耕耘數(shù)十年，為行業(yè)發(fā)展做杰出貢獻(xiàn)的資深技術(shù)和管理專家。
中微半導(dǎo)體2016、2017、2018年底的在職員工人數(shù)分別為497人、574人、653人。
而在中微半導(dǎo)體2018年的653名在職員工中，240人為研發(fā)人員，占比36.75%；141名為工程技術(shù)人員，占比21.59%；121名為管理人員，占比18.53%。這三類員工占總員工數(shù)量的76.77%。
從人才比例來看，大學(xué)本科學(xué)歷員工最多，占47.47%，碩士和博士分別占26.19%和7.35%。
四、光刻機(jī)/MOVCD背后的市場格局
中微半導(dǎo)體主營的半導(dǎo)體設(shè)備，是半導(dǎo)體芯片制造的基石，亦是半導(dǎo)體行業(yè)的基礎(chǔ)和核心。
半導(dǎo)體設(shè)備屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游核心環(huán)節(jié)，根據(jù)業(yè)內(nèi)“一代設(shè)備，一代工藝，一代產(chǎn)品”的經(jīng)驗(yàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)品制造要超前電子系統(tǒng)開發(fā)新一代工藝，半導(dǎo)體設(shè)備又要超前半導(dǎo)體產(chǎn)品制造開發(fā)新一代產(chǎn)品。
1、中國建廠潮催生巨大半導(dǎo)體設(shè)備市場
目前，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場主要由國外廠商主導(dǎo)，呈現(xiàn)高度壟斷的競爭格局，前五大半導(dǎo)體設(shè)備制造商因起步較早，占據(jù)了全球半導(dǎo)體設(shè)備市場65%的市場份額。
其中，阿斯麥（ASML）在光刻機(jī)設(shè)備領(lǐng)域形成寡頭壟斷，應(yīng)用材料、東京電子和泛林半導(dǎo)體是提供等離子體刻蝕和薄膜沉積等工藝設(shè)備的三強(qiáng)，科天半導(dǎo)體是檢測設(shè)備的龍頭。
2018年，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)621億美元，從需求量來看，半導(dǎo)體設(shè)備在中國效率達(dá)128億美元，約占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的21%，排名僅次于韓國。
不過，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額并不樂觀，預(yù)計(jì)為109億元，自給率僅為5%，在全球市場市場1-2%。
由于中國對半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的需求持續(xù)旺盛，市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，帶動(dòng)全球產(chǎn)能中心逐步向大陸轉(zhuǎn)移，大陸正涌現(xiàn)晶圓廠建廠熱潮，這為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)提供了巨大的市場空間。
據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，中國預(yù)計(jì)2019年成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場，這有望促進(jìn)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專業(yè)人才的培養(yǎng)及配套行業(yè)的發(fā)展。
2、刻蝕設(shè)備：美日巨頭割據(jù)
晶圓制造設(shè)備的市場規(guī)模占比超過集成電路（IC）設(shè)備整體市場規(guī)模的 80%。
刻蝕、光刻、薄膜沉積是IC前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類晶圓制造設(shè)備。
隨著芯片制造工藝的進(jìn)步，晶圓制造向7納米、5納米以及更先進(jìn)的工藝發(fā)展。
由于關(guān)鍵的浸沒式光刻機(jī)受波長限制，14nm及以下邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工，將通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合——多重模板效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)。
這使得相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多， 刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備有望正成為更關(guān)鍵且投資占比最高的設(shè)備。
刻蝕設(shè)備領(lǐng)域行業(yè)集中度較高，泛林半導(dǎo)體獨(dú)占半壁江山，前三大公司在2017年占據(jù)該領(lǐng)域總市場份額的94%。
中微招股書顯示，中微半導(dǎo)體在國內(nèi)刻蝕設(shè)備市場中有突出市場競爭力。
近期兩家國內(nèi)知名存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)采購的刻蝕設(shè)備臺(tái)數(shù)訂單份額情況如下:
半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，寡頭競爭的局面相對穩(wěn)定，半導(dǎo)體技術(shù)的不斷突破帶來應(yīng)用迭代，催生了互聯(lián)網(wǎng)、智能手機(jī)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)。
而這些新興產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，將釋放出大量芯片制造的需求，將進(jìn)一步推動(dòng)上游半導(dǎo)體 設(shè)備行業(yè)的穩(wěn)步增長。
3、MOCVD：打破壟斷
LED外延片的制備是LED芯片生產(chǎn)的重要步驟，主要通過MOCVD單種設(shè)備實(shí)現(xiàn)。
MOCVD設(shè)備作為LED制造中最重要的設(shè)備，其采購金額一般占 LED 生產(chǎn)線總投入的一半以上， 因此 MOCVD 設(shè)備的數(shù)量成為衡量 LED 制造商產(chǎn)能的直觀指標(biāo)。
近年，MOVCD設(shè)備需求量快速增長。根據(jù) LED inside 統(tǒng)計(jì)，中國已成全球 MOCVD 設(shè)備最大的需求市場，MOCVD 設(shè)備保有量占全球比例已超 40%。
2017年以前，MOCVD設(shè)備主要由維易科和愛思強(qiáng)兩家國際廠商壟斷。后來，中微半導(dǎo)體的MOCVD設(shè)備逐步打破了這些壟斷，在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場占據(jù)主導(dǎo)地位（來源：IHS Markit）。
中微半導(dǎo)體自主研發(fā)的MOCVD設(shè)備已被三安光電、華燦光電、乾照光電等多家一流LED 制造廠商大批量采購。
在光電子LED產(chǎn)業(yè)中，以LED新型顯示為代表的新興產(chǎn)業(yè)逐漸成為熱點(diǎn)，有望成為繼LED照明產(chǎn)業(yè)后MOCVD應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展最迅速的版塊之一。
未來LED行業(yè)逐步形成LED照明和LED新型顯示雙輪驅(qū)動(dòng)的發(fā)展模式，為MOCVD設(shè)備行業(yè)提供了增量空間。
五、募資10億元擴(kuò)產(chǎn)高端半導(dǎo)體設(shè)備
中微半導(dǎo)體于2004年5月19日成立，截至招股書說明書簽署日，中微半導(dǎo)體前兩大股東是上海創(chuàng)投（20.02%）和巽鑫投資（ 19.39%），創(chuàng)始人尹志堯持股1.29%。
另外，中微半導(dǎo)體還有少部分的高通持股，只不過比例不高，僅為1.14%。
2018年，公司向現(xiàn)任董事、監(jiān)事、高級(jí)管理人員及核心技術(shù)人員支付的薪酬總數(shù)為1849.09萬元，占公司總利潤的17.76%。
招股書中寫道，中微半導(dǎo)體擬發(fā)行53,486,224股，募資10億元。
這些募集資金將被用于可以鞏固和加強(qiáng)公司行業(yè)地位的項(xiàng)目，包括高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)項(xiàng)目、技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)升級(jí)項(xiàng)目和補(bǔ)充流動(dòng)資金。
結(jié)語：國產(chǎn)IC設(shè)備前程似海，道阻且長
無論是在強(qiáng)手如林的半導(dǎo)體設(shè)備沙場中異軍突起，還是在國際巨頭的專利圍剿中從容應(yīng)對，中微半導(dǎo)體15年每一次跨越逆境和每一次研發(fā)突破，無不在印證自主創(chuàng)新、手握核心技術(shù)和建立嚴(yán)密知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)體系的重要價(jià)值。
除了中微半導(dǎo)體外，還有很多國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在一些國際領(lǐng)先的技術(shù)上取得突破，而隨著這些國產(chǎn)化廠商的努力，以及日益增大的中國半導(dǎo)體市場需求的助攻下，中國隊(duì)有望在國際市場中贏得更多的份額。
進(jìn)步值得慶賀，但差距仍然明顯。國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在市占率、研發(fā)投入等方面都難以與全球三大半導(dǎo)體設(shè)備巨頭抗衡。這也意味著改變市場格局的道路依然艱辛，依賴頭部客戶、高端人才匱乏等問題都是技術(shù)突破、產(chǎn)品創(chuàng)新與市場拓展的阻力。
